大規(guī)模集成電路制造過程中反復使用的濺射工藝屬于物理氣相沉積(PVD)技術，是制備電子薄膜材料的主要技術之一。利用離子源產(chǎn)生的離子在高真空中加速聚集，形成高速離子束流，轟擊固體表面，離子與固體表面原子交換動能，使固體表面的原子離開固體，沉積在基礎表面。以下是濺射靶材工作原理、類型、產(chǎn)業(yè)鏈、產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀、趨勢、競爭格局等信息的詳細介紹。
一般來說，濺射目標材料主要由目標坯料、背板等部件組成，其中目標坯料是高速離子束流轟擊的目標材料，屬于飛濺目標材料的核心部分，在飛濺涂層過程中，目標坯料被離子沖擊后，其表面原子飛濺并沉積在基板上，形成電子薄膜；由于高純度金屬強度較低，飛濺目標材料需要安裝在特殊的平臺上完成飛濺過程，平臺內部是高壓、高真空環(huán)境，因此，超高純金屬飛濺目標坯料需要通過不同的焊接工藝與背板連接，背板主要起固定飛濺目標材料的作用，需要具有良好的導電、導熱性能。
濺射靶材的種類較多，即使相同材質的濺射靶材也有不同的規(guī)格。濺射靶材按不同的分類方法可分為不同的類別，主要分類如下：
按形狀分類：長靶、方靶、圓靶；
按化學成分分類：金屬靶材（純金屬鋁、鈦、銅、鉭等）、合金靶材（鎳鉻合金、鎳鈷合金等）、陶瓷靶材（氧化物、硅化物、碳化物、硫化物等）；
按應用領域分類：半導體芯片靶材、平面顯示器靶材、太陽能電池靶材、信息存儲靶材、工具改性靶材、電子器件靶材、其他靶材。
在濺射靶材的應用領域，半導體芯片對濺射靶材的金屬材料純度和內部微觀結構設定了極其苛刻的標準，需要掌握生產(chǎn)過程中的關鍵技術，經(jīng)過長期實踐才能生產(chǎn)出符合工藝要求的產(chǎn)品。因此，半導體芯片對濺射靶材的要求高，價格與半導體芯片相比，飛機顯示器和太陽能電池對濺射靶材的純度和技術要求略低，但隨著靶材尺寸的增加，對濺射靶材的焊接結合率和平整度提出了更高的要求。此外，濺射靶材需要安裝在濺射機臺內完成濺射過程，濺射機臺專用性強，對濺射靶材的形狀、尺寸和精度也設定了諸多限制。
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